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微波高頻

微波高頻

微波射頻用印制板的選材和無源互調(diào)
2020-10-28
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隨著無線通訊和寬帶網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展,PCB已不再簡簡單單是在一些絕緣的基材上面布上金屬導(dǎo)線,實(shí)現(xiàn)互聯(lián)。在許許多多的情況下,基材和金屬導(dǎo)體已經(jīng)成為功能元件的一部分。尤其是在射頻應(yīng)用中,元件與基材相互作用,從而,PCB的設(shè)計(jì)和制造越來越對產(chǎn)品的功能產(chǎn)生至關(guān)重要的影響。如左圖1所示的微波高頻板的一個典型部分,上面的導(dǎo)體都是一個個元件。

微波高頻板

我們PCB制造者也更多的介入與設(shè)計(jì)相關(guān)的東西,尤其是到高頻,高速信號傳輸中更是如此。同樣設(shè)計(jì)者也必須對PCB制造工藝有深入的了解,才能綜合生產(chǎn)出合格的,高性能的PCB。

我們從這期開始介紹一些大家經(jīng)常接觸的參數(shù),由淺入深做一些技術(shù)探討,希望能夠加深設(shè)計(jì)與制造的溝通和交流。

1.介電常數(shù)

介電常數(shù)(Dk, ε,Er)決定了電信號在該介質(zhì)中傳播的速度。電信號傳播的速度與介電常數(shù)平方根成反比。介電常數(shù)越低,信號傳送速度越快。我們作個形象的比喻,就好想你在海灘上跑步,水深淹沒了你的腳踝,水的粘度就是介電常數(shù),水越粘,代表介電常數(shù)越高,你跑的也越慢。

介電常數(shù)并不是非常容易測量或定義,它不僅與介質(zhì)的本身特性有關(guān),還與測試方法,測試頻率,測試前以及測試中的材料狀態(tài)有關(guān)。介電常數(shù)也會隨溫度的變化而變化,有些特別的材料在開發(fā)中就考慮到溫度的因素。濕度也是影響介電常數(shù)的一個重要因素,因?yàn)樗慕殡姵?shù)是70,很少的水分,會引起顯著的變化。

介電常數(shù)

可以看出,對于高速、高頻應(yīng)用而言,最理想的材料是由銅箔包裹的空氣介質(zhì),厚度允差在+/-0.00001"。作為材料開發(fā),大家都在朝這個方向努力,如Arlon 專利開發(fā)的Foamclad非常適合基站天線的應(yīng)用。但不是所有的設(shè)計(jì)都是介電常數(shù)越小越好,它往往根據(jù)一些實(shí)際的設(shè)計(jì)而定,一些要求體積很小的線路,常常需要高介電常數(shù)的材料,如Arlon的AR1000 用在小型化線路設(shè)計(jì)。有些設(shè)計(jì)如功放,常用介電常數(shù)2.55(如Arlon Diclad527, AD255等),或者介電常數(shù)3.5(如AD350,25N/FR等)。也有采用4.5介電常數(shù)的,(如AD450)主要從FR-4設(shè)計(jì)改為高頻應(yīng)用,而希望沿用以前設(shè)計(jì)。

介電常數(shù)除了直接影響信號的傳輸速度以外,還在很大程度上決定特性阻抗,在不同的部分使得特性阻抗匹配在微波通信線路板里尤為重要.如果出現(xiàn)阻抗不匹配的現(xiàn)象,阻抗不匹配也稱為VSWR (駐波比)。

CTEr:由于介電常數(shù)隨溫度變化,而微波應(yīng)用的材料又常常在室外,甚至太空環(huán)境,所以CTEr(Coefficenc of Thermal of Er,介電常數(shù)隨溫度的變化系數(shù))也是一個關(guān)鍵的參數(shù)。一些陶瓷粉填充的PTFE能夠有非常好的特性,如CLTE。

CLTE

2.損耗因子(Loss, loss tangent, Df, Dissipation factor)

除了介電常數(shù),損耗因子是影響材料電氣特性的重要參數(shù)。介電損耗也稱損耗正切,損耗因子等,它是指信號在介質(zhì)中丟失,也可以說是能量的損耗。這是因?yàn)楦哳l信號(它們不停地在正負(fù)相位間變換)通過介質(zhì)層時(shí),介質(zhì)中的分子試圖根據(jù)這些電磁信號進(jìn)行定向,雖然實(shí)際上,由于這些分子是交聯(lián)的,不能真正定向。但頻率的變化,使得分子不停地運(yùn)動,產(chǎn)生大量的熱,造成了能量的損耗。而有些材料,如PTFE的分子是非極性的,所以不會受電磁場的影響變化,損耗也就較小。同樣,損耗因子也跟頻率和測試方法有關(guān),一般規(guī)律是在頻率越高,損耗越大。

最直觀的例子是傳輸中電能的消耗。如果電路設(shè)計(jì)損耗小。電池壽命可以明顯增加。在接收信號時(shí),采用的損耗的材料,天線對信號的敏感度增加,信號更清晰。

常用的FR4環(huán)氧樹脂(Dk4.5)極性相對較強(qiáng),在1GHz下,損耗約0.025,而PTFE基材(Dk2.17)在此條件下的損耗是0.0009。石英填充的聚酰亞胺與玻璃填充的聚酰亞胺相比,不僅介電常數(shù)低,而且損耗也較低,,因?yàn)楣璧暮枯^純。

下圖為PTFE 的分子結(jié)構(gòu)圖,我們可以看到,它的結(jié)構(gòu)非常對稱,C-F鍵結(jié)合緊密,無極性基團(tuán)。故隨電磁場變化而搖擺的可能性很小,表現(xiàn)在電氣特性上就是損耗小。

PTFE 的分子結(jié)構(gòu)圖

3. 熱膨脹系數(shù) (CTE)

熱膨脹系數(shù)通常簡寫為CTE(Coeffecient Thermal Efficent),它是材料的重要熱機(jī)械特性之一。指材料受熱的情況下膨脹的情況。實(shí)際的材料膨脹是指體積變化,但由于基材的特性,我們往往分別考慮平面(X-, Y-)和垂直方向的膨脹(Z-)。

平面的熱膨脹常常可以通過增強(qiáng)層材料加以控制,(如玻璃布,石英, Thermount ),而縱向的膨脹總是在玻璃轉(zhuǎn)化溫度以上難以控制。

平面的CTE對于安裝高密度的封裝至關(guān)重要,如果芯片(通常CTE在6-10ppm/C)安裝在常規(guī)PCB上(CTE 18ppm/C),通過多次的熱循環(huán)以后,可能造成焊點(diǎn)受力過度老化。而Z軸的CTE直接影響鍍孔的可靠性,尤其對于多層板而言。

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