由于PCB制造工藝流程復(fù)雜，在智能制造的規(guī)劃和建設(shè)時(shí)，需要考慮工藝和管理的相關(guān)工作，進(jìn)而進(jìn)行自動(dòng)化、信息化、智能化布局。

一，工藝流程分類

按PCB層數(shù)的不同，分為單面、雙面、多層板，這三種板子工藝也不太一樣。單面板和雙面板沒(méi)有內(nèi)層工藝，基本上是開(kāi)料-鉆孔-后續(xù)工藝。

1，多層板會(huì)有內(nèi)層工藝

1) 單面板工藝流程
開(kāi)料磨邊→鉆孔→外層圖形→（全板鍍金）→蝕刻→檢驗(yàn)→絲印阻焊→（熱風(fēng)整平）→絲印字符→外形加工→檢測(cè)→檢驗(yàn)

2）雙面噴錫板工藝流程
開(kāi)料磨邊→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫、蝕刻退錫→二次鉆孔→檢驗(yàn)→絲印阻焊→鍍金插頭→熱風(fēng)整平→絲印字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn)

3）雙面鍍鎳金工藝流程
開(kāi)料磨邊→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍鎳、金去膜蝕刻→二次鉆孔→檢驗(yàn)→絲印阻焊→絲印字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn)

4）多層板噴錫板工藝流程
開(kāi)料磨邊→鉆定位孔→內(nèi)層圖形→內(nèi)層蝕刻→檢驗(yàn)→黑化→層壓→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫、蝕刻退錫→二鉆→檢驗(yàn)→阻焊→鍍金插頭→熱風(fēng)整平→字符→外形加工→測(cè)試→檢驗(yàn)

5）多層板鍍鎳金工藝流程
開(kāi)料磨邊→鉆定位孔→內(nèi)層圖形→內(nèi)層蝕刻→檢驗(yàn)→黑化→層壓→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍金、去膜蝕刻→二次鉆孔→檢驗(yàn)→阻焊→字符→外形→測(cè)試→檢驗(yàn)

6）多層板沉鎳金板工藝流程
開(kāi)料磨邊→鉆定位孔→內(nèi)層圖形→內(nèi)層蝕刻→檢驗(yàn)→黑化→層壓→鉆孔→沉銅加厚→外層圖形→鍍錫、蝕刻退錫→二次鉆孔→檢驗(yàn)→絲印阻焊→化學(xué)沉鎳金→字符→外形→測(cè)試→檢驗(yàn)。

二，內(nèi)層制作（圖形轉(zhuǎn)移）

內(nèi)層：裁板、內(nèi)層預(yù)處理、壓膜、曝光、DES連線

1. 開(kāi)料

 1) 開(kāi)料裁板材

目的：將大料按訂單要求切割成規(guī)定的尺寸（根據(jù)設(shè)計(jì)的規(guī)劃要求，將基板材料切割成工作所需的尺寸）

主要原材料：基板、鋸片
基板由銅片和絕緣層壓合制成。根據(jù)要求有不同的板厚度規(guī)格。按銅厚可分為H/H、1OZ/1OZ、2OZ/2OZ等。

注意事項(xiàng)：
a.為避免板邊對(duì)品質(zhì)的影響，切割后進(jìn)行磨邊和圓角處理
b.考慮到膨脹和收縮的影響，裁切板在送入工序前經(jīng)過(guò)烘烤
c.切割時(shí)必須注意機(jī)械方向一致的原則

磨邊/圓角：采用機(jī)械打磨去除開(kāi)料時(shí)板材四邊直角留下的玻璃纖維，以減少后續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中板材的擦花/劃痕，造成質(zhì)量隱患

烤板：通過(guò)烘烤去除水蒸氣和有機(jī)揮發(fā)物，釋放內(nèi)應(yīng)力，促進(jìn)交聯(lián)反應(yīng)，增加板料尺寸穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度

控制點(diǎn)：
板材：拼板尺寸、板材厚度、板材類型、銅厚
操作：烘烤時(shí)間/溫度、堆疊高度

2）裁板后制作內(nèi)層

作用及原理：

經(jīng)磨板粗化的內(nèi)銅板，經(jīng)磨板干燥，貼上干膜IW后，再用UV光（紫外線）照射。曝光后干膜變硬，不能溶于弱堿，但能溶于強(qiáng)堿。未曝光的部分遇弱堿可以溶解，內(nèi)層電路就是利用該物料的特性將圖形轉(zhuǎn)移到銅面上，即圖像轉(zhuǎn)移。

細(xì)節(jié) :(在曝光區(qū)抗蝕劑中的感光活性引發(fā)劑吸收光子并分解成游離基。游離基引發(fā)單體的交聯(lián)反應(yīng)，形成不溶于稀堿的空間網(wǎng)狀大分子結(jié)構(gòu)。而未曝光部分因未發(fā)生反應(yīng)可溶于稀堿。利用兩者在同一溶液中具有不同的溶解性能，從而將負(fù)片上設(shè)計(jì)的圖形轉(zhuǎn)移到基材上即完成圖形轉(zhuǎn)移）。

線路圖形需要高溫濕條件，一般要求溫度22+/-3℃，濕度55+/-10%，以防止菲林變形?？諝庵械幕覊m度要求也很高。隨著制作的線路密度的增大及線路越小，含塵量小于等于1萬(wàn)級(jí)以上。

材料介紹：
干膜：干膜光致蝕劑簡(jiǎn)稱干膜，是一種水溶性阻劑膜。厚度一般為1.2mil、1.5mil、2mil等。分為三層：聚酯保護(hù)膜、聚乙烯隔膜和感光膜。聚乙烯隔膜的作用是當(dāng)卷狀干膜運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中，防止柔軟的阻膜劑與聚乙烯保護(hù)膜粘在表面。保護(hù)膜可以防止氧氣滲入阻劑層，防止其中的自由基產(chǎn)生意外反應(yīng)引起光聚合反應(yīng)，未經(jīng)聚合反應(yīng)的干膜很容易被碳酸鈉溶液沖走。

濕膜：濕膜是一種單組分液態(tài)感光膜，主要由高感光樹(shù)脂、感光劑、顏料、填料和少量溶劑組成。生產(chǎn)粘度10-15dpa.s，具有抗蝕性、抗電鍍性。 ，濕膜涂覆方法有網(wǎng)印、噴涂等方法。

工藝介紹：

干膜成像法，制作過(guò)程如下：
前處理-壓膜-曝光-顯影-蝕刻-去膜

前處理
目的：去除銅表面的污染物如油脂氧化層等雜質(zhì)，增加銅表面的粗糙度，方便后續(xù)的壓膜工藝

主要原材料：刷輪

前處理方法：
(1)噴砂研磨法
(2)化學(xué)處理法
(3)機(jī)械研磨法

化學(xué)處理法的基本原理：用化學(xué)物質(zhì)如SPS等酸性物質(zhì)均勻咬合銅表面，去除銅表面的油脂、氧化物等雜質(zhì)。

化學(xué)清洗：
先用堿性溶液去除銅表面的油漬、指紋等有機(jī)污垢，再用酸性溶液去除原有銅基板上不阻止銅氧化的氧化層和保護(hù)涂層，最后進(jìn)行微蝕處理獲得干膜 完全粗糙的表面，具有優(yōu)異的附著力。

控制點(diǎn)：
a.磨板速度（2.5-3.2mm/min）
b.磨痕寬度（500#針?biāo)⒛ズ蹖挾龋?-14mm，800#無(wú)紡布磨痕寬度：8-16mm），水磨試驗(yàn)，烘干溫度（80-90℃）

壓膜
目的：將經(jīng)過(guò)處理的基板銅面通過(guò)熱壓方式粘貼上抗蝕干膜。

主要原料：干膜、溶液顯像型、半水溶液顯像型、水溶性干膜主要由其組成中含有機(jī)酸根，與強(qiáng)堿反應(yīng)使之成有機(jī)酸根類。

原理：轆干膜（貼膜）：先將聚乙烯保護(hù)膜從干膜上剝離，然后在加熱加壓條件下將干膜抗蝕劑粘貼在覆銅板上，干膜中的抗蝕劑層受熱變軟，流動(dòng)性增加。通過(guò)熱壓轆的壓力和抗蝕劑中粘結(jié)劑的作用完成貼膜。

轆干膜三要素：壓力、溫度、傳遞速度

控制點(diǎn)：
a.貼膜速度（1.5+/-0.5m/min），貼膜壓力（5+/-1kg/cm2），貼膜溫度（110+/-10℃），出板溫度（40-60℃）
b.濕膜涂布：油墨粘度、涂布速度、涂層厚度、預(yù)烘時(shí)間/溫度（第一面5-10分鐘，第二面10-20分鐘）

曝光

目的：通過(guò)光源的作用將原始底片上的圖像轉(zhuǎn)移到感光基板上。

主要原物料：底片內(nèi)層所用的底片為負(fù)片，即白色透光部分發(fā)生聚合反應(yīng)，黑色部分則因不透光，不發(fā)生反應(yīng)。外層所用的底片是正片，與內(nèi)層使用的底片相反。

干膜曝光原理：在曝光區(qū)域抗蝕劑中的感光起始劑吸收光子分解轉(zhuǎn)化為游離基，游離基引發(fā)單體發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，形成不溶于稀堿的空間網(wǎng)狀大分子結(jié)構(gòu)。

控制要點(diǎn)：精確對(duì)位、曝光能量、曝光光尺（6-8級(jí)覆蓋膜）、停留時(shí)間。

顯影

目的：用堿液沖掉未發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的干膜部分。

主要原料：Na2CO3

用將未發(fā)生聚合反應(yīng)的干膜沖掉，發(fā)生聚合反應(yīng)的干膜則留在板面上作為蝕刻時(shí)抗蝕保護(hù)層。

顯影原理：感光膜未曝光部分的活性基團(tuán)與稀堿溶液反應(yīng)生成可溶性物質(zhì)并溶解掉，從而把未曝光部分溶解下來(lái)，而曝光部分的干膜不被溶解。

控制點(diǎn)：
a.顯影速度（1.5-2.2m/min），顯影溫度（30+/-2℃）
b.顯影壓力（1.4-2.0Kg/Cm2），顯影劑濃度（N2CO3濃度0.85-1.3%）

蝕刻

目的：利用藥液把顯影后裸露的銅蝕刻掉，形成內(nèi)層線路圖形。

主要原料：蝕刻藥液（CuCl2）

內(nèi)層蝕刻原理：在內(nèi)層圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程中，使用D/F或油墨作為抗蝕刻、有抗電鍍或抗蝕刻之用，所以大多選擇酸性蝕刻（干膜/濕膜覆蓋）電路圖形的表面。

防止銅蝕刻：其他暴露在基板上的不需要的銅，將通過(guò)化學(xué)反應(yīng)去除，使其形成所需的線路圖形。線路圖形蝕刻完成后再用氫氧化鈉溶液去除干膜/濕膜。

常見(jiàn)問(wèn)題：蝕刻不凈、過(guò)度蝕刻、線幼、開(kāi)路、短路。

控制點(diǎn)：
a.蝕刻：速度、溫度（48-52℃）、壓力（1.2-2.5Kg/cm2）
b.退膜：44-54℃，8-12% NaOH溶液

目的：用強(qiáng)堿將保護(hù)銅面的抗蝕層退掉，露出線路圖形。

技術(shù)與研發(fā)：愛(ài)彼電路擁有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。技術(shù)涉及高多層板、超長(zhǎng)板、厚銅板、高頻高速板、金屬基板、金屬芯板、HDI板、柔性板、IC載板，剛?cè)峤Y(jié)合板等高端產(chǎn)品。產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)成熟，具備量產(chǎn)能力，可根據(jù)市場(chǎng)需求變化隨時(shí)投產(chǎn)。