在 IP 集成期間出現(xiàn)在芯片、封裝和PCB線路板級別的問題以信號完整性 (SI) 和電源完整性 (PI) 問題的形式在所有三個域中相互作用。信號完整性問題包括時序效應（源自隨頻率上升而惡化的邊緣速率受損的抖動）以及電磁干擾 (EMI) 等幅度效應，包括低頻和高頻的串擾和諧波。電源完整性問題包括開關噪聲和串擾，必須對其進行動態(tài)管理，以免影響功能和性能。

這是一個具有挑戰(zhàn)性的情況，因為需要在 V dd隨著更深的亞微米節(jié)點同步下降時保持干凈的功率水平和噪聲容限。人們不能不注意到這些問題之間的許多共性，以及在系統(tǒng)設計和集成的所有三個層次上用來減少它們的方法。在意識到 IP 集成問題是由未將芯片、封裝載板和 PCB 設計視為一個綜合整體的設計方法引起的之后，人們努力開發(fā)一種能夠成功應對這種多變量混亂的方法。由此產(chǎn)生了配電網(wǎng)絡或 PDN 的概念。

封裝和 PCB 中的接地層可屏蔽信號層的串擾并阻止來自 EMI 的噪聲。然而，這兩個級別都面臨接地層和電源層之間頻率相關諧振的風險，幾乎肯定需要去耦。封裝中的硅通孔 (TSV) 和模具通孔 (TMV) 已成為所有三個級別串擾的潛在來源。適當?shù)拈g距、信號過孔之間的分散接地過孔、差分信號和到接地參考的最短距離都可以緩解這個問題。這個問題的修復是針對芯片設計的——特別是對于 2.5/3D IC——并且這個問題受到了很多關注。

大量使用去耦電容會影響所有三個級別的布局規(guī)劃、布局和設計選擇，并對成本產(chǎn)生相關的負面影響。然而，電感寄生引起的電流變化將取決于芯片級的電流消耗，并且可以從片上穩(wěn)壓器中引出更多的電流——這是非常不受歡迎的事件，因為片上穩(wěn)壓器是寄生電容的來源。去耦帽在這里起著至關重要的作用，因為它是“可充電電池”，可以平衡電流。因此，使用解耦帽是不可避免的現(xiàn)實。

我們可以從上述信息中清楚地看出，成功的芯片、封裝和 PCB 設計之間越來越多的相互依賴。

從芯片到封裝再到PCB
芯片供應商前段時間發(fā)現(xiàn)，為芯片構建演示板比開發(fā)成熟的系統(tǒng)實現(xiàn)要簡單得多。然而，在SoC時代，半導體廠商開始意識到自己的領域正在與封裝和PCB快速融合。正如我們現(xiàn)在可以很清楚地看到的那樣，這種融合是由將具有非凡復雜性和功能性的數(shù)字和模擬 IP 集成到硅片中的需要驅動的。換句話說：為了在硅片中正確集成系統(tǒng) IP，芯片開發(fā)商實際上必須成為系統(tǒng)開發(fā)商。

這已成為芯片設計團隊擴展技能的要求，以便在完整的建模、設計、仿真和驗證周期中在芯片、封裝和電路板級別進行共同開發(fā)。EDA 供應商正試圖通過提供新工具和流程以將其納入芯片開發(fā)工具鏈來響應這一新興需求。

全面的芯片、封裝和 PCB 協(xié)同設計方法
一個重要補充是在連續(xù)的抽象層中合并每個級別的原型設計，從高抽象——黑盒建模——到中等抽象——試驗布局和更完整的芯片塊的粗略布局和布線與物理結合。封裝和 PCB 的原型設計，最后在邏輯設計完成時達到低或零抽象級別。在這里，SoC 設計固化，物理設計和集成問題占主導地位。通過從一開始就動態(tài)參與所有三個級別之間的協(xié)同設計，可以在最終流片之前通過規(guī)劃和優(yōu)化周期解決 IP 集成問題，并且可以避免諸如進度延誤和迭代返工之類的困難。

無論任何給定 EDA 工具或流程的有效性如何，在這一點上非常清楚的是，設計芯片并集成其數(shù)字和模擬 IP，然后優(yōu)化所選封裝中的芯片放置并進而優(yōu)化放置已不再足夠多層PCB上的器件，具有連續(xù)完成且相對隔離的連續(xù)階段。獨立參與每個級別將確保顯著的成本超支、進度延遲和浪費在重新設計上的工作周期。

只有當芯片設計團隊考慮到 SoC 的“垂直”維度，并在設計、仿真和驗證流程中包括詳細的封裝和 PCB 參數(shù)，處理這三者時，半導體數(shù)字和模擬 IP 的集成才能及時、高效并完全成功。級別為一個系統(tǒng)。SoC 開發(fā)不再僅僅是基于硅的學科。為了正確體現(xiàn)充滿數(shù)字、模擬、射頻和混合信號 IP 模塊的 SoC 的功能豐富性，從現(xiàn)在開始，芯片設計團隊將被要求進一步侵占系統(tǒng)制造商的工程領域，超越邏輯層面和也進入物理。愛彼電路(iPcb?)是專業(yè)高精密PCB電路板研發(fā)生產(chǎn)廠家,可批量生產(chǎn)4-46層pcb板,電路板,線路板,高頻板,高速板,HDI板,pcb線路板,高頻高速板,雙面,多層線路板,hdi電路板,混壓電路板,高頻電路板,軟硬結合板等